[发明专利]基于Cu掺杂多元量子点溶液加工发光二极管的构建方法

摘要

本发明公开的基于Cu掺杂多元量子点溶液加工发光二极管的构建方法，包括如下步骤(1)Cu掺杂多元量子点的制备；(2)QD-LED构建，QD-LED构建包括基底制备和电极制备；基底制备为将ITO片基底先后在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声处理，然后以臭氧进行表面处理得到预处理后的ITO片基底；电极制备为在预处理后的ITO片基底上旋涂聚(3，4-乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐层后烘干，然后依次旋涂空穴传输层、发光层和电子传输层得到多层结构基片，再将多层结构基片在真空环境下沉积阳极即可，其中发光层为Cu掺杂多元量子点层，电子传输层为金属氧化物纳米颗粒层。条件安全简单，基本采用全溶液加工工艺，操作方便。

主权项

基于Cu掺杂多元量子点溶液加工发光二极管的构建方法，其特征在于：包括如下步骤(1)Cu掺杂多元量子点的制备；(2)QD‑LED构建，所述QD‑LED构建包括基底制备和电极制备；所述基底制备为将ITO片基底先后在丙酮、无水乙醇和去离子水中超声处理，然后以臭氧进行表面处理得到预处理后的ITO片基底；所述电极制备为在预处理后的ITO片基底上旋涂聚(3，4‑乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐层或者NiO纳米颗粒层后烘干，然后依次旋涂空穴传输层、发光层和电子传输层得到多层结构基片，再将多层结构基片在真空环境下沉积阳极即可，其中发光层为Cu掺杂多元量子点层，电子传输层为金属氧化物纳米颗粒层。