[发明专利]一种超高带宽锗硅光电探测器在审
| 申请号： | 201510311785.9 | 申请日： | 2015-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN104952940A | 公开（公告）日： | 2015-09-30 |
| 发明（设计）人： | 余宇;陈冠宇;张新亮 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/02 | 分类号： | H01L31/02 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及高速大容量光纤通信系统中的硅基集成光电子器件——超高速锗硅光电探测器，包括几个物理上分离的地极和一个信号极，所述地极之间通过一段或几段导线连接，所述一段或几段导线形成的总电感量为50pH至900pH。本发明通过Wire Bonding技术，在现有的锗硅光电探测器电极中引入具有特定电感量的导线，使得器件在高频处带宽曲线有一定抬升。本发明在没有增加工艺复杂度、不影响器件其它性能参数的情况下，实现了一种超高带宽锗硅光电探测器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超高 带宽 光电 探测器 | ||
【主权项】：
一种超高带宽锗硅光电探测器，其特征在于，包括几个物理上分离的地极和一个信号极，所述地极之间通过一段或几段导线连接，所述一段或几段导线形成的总电感量为50pH至900pH。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
