[发明专利]基于米勒平台电压的MOSFET退化评估方法及采用该方法的MOSFET剩余寿命预测方法

摘要

基于米勒平台电压的MOSFET退化评估方法及采用该方法的MOSFET剩余寿命预测方法，涉及半导体退化评估及寿命预测领域。解决了无法实时在线评估MOSFET退化状态的问题，同时满足了对MOSFET的剩余寿命预测方法的需求。基于米勒平台电压的以MOSFET开通波形中的米勒平台电压作为敏感特征参数的评估方法：将MOSFET的米勒平台电压作为评估器件退化状态的参数。采用基于米勒平台电压的MOSFET退化评估方法获得MOSFET退化模型，再利用粒子滤波算法对MOSFET退化模型的参数进行修正与更新，并得到新的MOSFET退化模型，从而获得MOSFET当前状态距失效阈值的时间差，实现对MOSFET的剩余寿命预测。本发明适用于半导体的退化评估及寿命预测。

主权项

基于米勒平台电压的MOSFET退化评估方法，其特征在于，该退化评估方法包括如下步骤：步骤一、将MOSFET与实际工作电路连接，采集并存储MOSFET开通时刻的栅源极电压波形；步骤二、从所述采集的电压波形中提取出米勒平台电压，并存储，该米勒平台电压记为米勒平台电压初始值；步骤三、根据MOSFET的栅氧化层经时击穿退化机理，对MOSFET做加速退化试验；步骤四、在加速退化试验中，根据退化速度的快慢，每隔预设时间间隔，采集并存储当前退化状态下的米勒平台电压，记录各时刻的米勒平台电压；步骤五、利用步骤二中的米勒平台电压初始值及步骤四中获得的退化试验中各时刻的米勒平台电压，对米勒平台电压退化模型进行估计，获得米勒平台电压的状态方程，其中利用步骤二中的米勒平台电压确定米勒平台电压退化模型的初始参数；步骤六、利用步骤五得到的状态方程及初始参数作为粒子滤波算法的起始参数，然后利用粒子滤波算法评估MOSFET的退化状态。