[发明专利]绿光LED芯片外延层的结构及生长方法

摘要

一种绿光LED芯片外延层的结构，包括一衬底；一GaN缓冲层，其生长在衬底上；一非掺杂GaN层，其生长在GaN缓冲层上；一N型GaN层，其生长在非掺杂GaN层上；一第一阶梯层，其生长在N型GaN层上；一多量子阱区，其生长在第一阶梯层上；一第二阶梯层，其生长在多量子阱区上；一P型GaN层，其生长在第二阶梯层上；一欧姆接触层，其生长在P型GaN层上。本发明通过在MQW区内采用InGaN垒层以及增加阶梯层结构，提高空穴的注入效率，减少电子的泄露，同时减小量子阱中的QCSE效应，实现对绿光LED发光效率的提升和对droop效应的抑制。

主权项

一种绿光LED芯片外延层的结构，包括：一衬底；一GaN缓冲层，其生长在衬底上；一非掺杂GaN层，其生长在GaN缓冲层上；一N型GaN层，其生长在非掺杂GaN层上；一第一阶梯层，其生长在N型GaN层上；一多量子阱区，其生长在第一阶梯层上，该多量子阱区由周期性重复排列的InGaN垒层和InGaN阱层构成；一第二阶梯层，其生长在多量子阱区上；一P型GaN层，其生长在第二阶梯层上；一欧姆接触层，其生长在P型GaN层上；所述第一阶梯层，用于降低电子的速度，减少由于弹道发射机制造成的电子的溢出或者泄露，抑制droop效应；所述第一阶梯层，在N型GaN层与多量子阱区间起缓冲和过渡的作用，减少界面处的晶格失配度；所述第二阶梯层，在P型GaN层多量子阱区间起缓冲和过渡的作用，减少界面处的晶格失配度；其中第一阶梯层和第二阶梯层的材料均为InGaN，该第一阶梯层和第二阶梯层为非掺杂的低In组分为InGaN层，厚度为3‑30nm，且其In组分为InGaN垒层中In组分的20％‑80％。