[发明专利]基于共振隧穿效应的近红外探测器在审
| 申请号： | 201510308843.2 | 申请日： | 2015-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN105047725A | 公开（公告）日： | 2015-11-11 |
| 发明（设计）人： | 王广龙;董宇;倪海桥;陈建辉;高凤岐;乔中涛;裴康明;牛智川 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所;中国人民解放军军械工程学院 |
| 主分类号： | H01L29/88 | 分类号： | H01L29/88;H01L29/06;H01L21/329 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基于共振隧穿效应的近红外探测器，其主体结构是一个共振隧穿二极管，但将共振隧穿二极管通常采用的双势垒结构变更为三势垒结构，以此抑制探测器的散粒噪声，并在三势垒结构和集电极之间外延生长吸收层。探测器工作时加正向偏压，近红外光从集电极入射，并在吸收层产生光生电子一空穴对，光生空穴在电场作用下向三势垒结构方向漂移，并在双势垒结构和吸收层的界面处堆积，进而改变了三势垒结构两侧的电势，增大了隧穿电流。探测器在室温下具有很高的响应度。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 共振 效应 红外探测器 | ||
【主权项】：
一种基于共振隧穿效应的近红外探测器，探测器的主体结构为共振隧穿二极管，其特征在于：共振隧穿二极管具有三势垒结构，沿外延生长方向依次设计为衬底、电极、发射极、隔离层、势垒层、量子阱、势垒层、量子阱、势垒层、吸收层、集电极和电极。
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