[发明专利]一种基于门极驱动的激发式逻辑控制系统在审

专利信息
申请号: 201510307046.2 申请日: 2015-06-06
公开(公告)号: CN104837288A 公开(公告)日: 2015-08-12
发明(设计)人: 周云扬 申请(专利权)人: 成都冠深科技有限公司
主分类号: H05B37/02 分类号: H05B37/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 610000 四川省成都市高新*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明公开了一种基于门极驱动的激发式逻辑控制系统,主要由场效应管MOS,非门IC1,非门IC3,非门IC4,非门IC2,滤波延迟电路,与非门IC1的输入端相连接的一级滤波电路,与非门IC3的输入端相连接二级滤波电路,与非门IC4的输出端相连接的异或门电路,一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端与非门IC1的输出端相连接的电阻R3,一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端与异或门电路相连接的电阻R5,正极与场效应管MOS的栅极相连接、其负极与非门IC3的输出端相连接的电容C3等组成。本发明采用门极驱动电路进行驱动,可以在很大程度上提高本发明的反应速度,从而可以更好的对LED灯进行保护。
搜索关键词: 一种 基于 驱动 激发 逻辑 控制系统
【主权项】:
一种基于门极驱动的激发式逻辑控制系统,其由场效应管MOS,非门IC1,非门IC3,非门IC4,输入端与非门IC1的输出端相连接的非门IC2,与非门IC2的输出端相连接的滤波延迟电路,与非门IC1的输入端相连接的一级滤波电路,与非门IC3的输入端相连接二级滤波电路,与非门IC4的输出端相连接的异或门电路,一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端与非门IC1的输出端相连接的电阻R3,一端与场效应管MOS的栅极相连接、另一端与异或门电路相连接的电阻R5,正极与场效应管MOS的栅极相连接、其负极与非门IC3的输出端相连接的电容C3,一端与场效应管MOS的漏极相连接、另一端接地的电阻R9,以及串接在场效应管MOS的源极与滤波延迟电路之间的光束激发式逻辑放大电路组成;其特征在于:在场效应管MOS的栅极与二级滤波电路的输入端之间还设置有门极驱动电路;所述的门极驱动电路由三极管Q1,三极管Q2,场效应管MOS1,单向晶闸管D8,负极与三极管Q2的基极相连接、正极经电阻R16后与三极管Q2的发射极相连接的电容C9,与电容C9相并联的电阻R17,一端与三极管Q1的集电极相连接、另一端则与电容C9的正极相连接的电阻R15,串接在三极管Q1的集电极和基极之间的电阻R18,N极与三极管Q2的集电极相连接、P极则经电阻R19后与场效应管MOS1的栅极相连接的二极管D7,正极与三极管Q2的发射极相连接、负极则经电阻R20后与场效应管MOS1的栅极相连接的电容C10,正极与电容C10的负极相连接、负极则与单向晶闸管D8的P极相连接的电容C11,以及正极与单向晶闸管D8的控制极相连接、负极则与场效应管MOS的栅极相连接的电容C12组成;所述三极管Q1的基极与三极管Q2的集电极相连接、其发射极则与二极管D7的P极相连接;三极管Q2的发射极与二级滤波电路相连接;所述场效应管MOS1的漏极接地、其源极则与单向晶闸管D8的N极相连接。
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