[发明专利]双向瞬态电压抑制器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201510306834.X | 申请日： | 2015-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN106298972B | 公开（公告）日： | 2019-11-08 |
| 发明（设计）人： | 李理;马万里;赵圣哲 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/866 | 分类号： | H01L29/866;H01L21/329;H01L25/11 |
| 代理公司： | 北京友联知识产权代理事务所(普通合伙) 11343 | 代理人： | 尚志峰;汪海屏 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种双向瞬态电压抑制器件及其制造方法，方法包括：在生长掺杂硅层的硅片衬底上刻蚀多个沟槽；对形成所述多个沟槽的硅片进行热氧化，在每个所述沟槽内填充氧化硅，并制备掺杂区域；在形成所述掺杂区域的硅片上生长介质层；在所述介质层上制备多个金属孔，并在所述硅片衬底的下表面上生长金属层；将所述多个金属孔等分为两部分，分别作为第一输入/输出端口和第二输入/输出端口，将所述金属层作为第三输入/输出端口。通过本发明的技术方案，可以在提高瞬态电压抑制器件性能的同时降低瞬态电压抑制器件的制造成本。 | ||
| 搜索关键词： | 双向 瞬态 电压 抑制 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种双向瞬态电压抑制器件的制造方法，其特征在于，包括：在生长掺杂硅层的硅片衬底上刻蚀多个沟槽；对形成所述多个沟槽的硅片进行热氧化，在每个所述沟槽内填充氧化硅，并制备掺杂区域；在形成所述掺杂区域的硅片上生长介质层；在所述介质层上制备多个金属孔，并在所述硅片衬底的下表面上生长金属层；将所述多个金属孔等分为两部分，分别作为第一输入/输出端口和第二输入/输出端口，将所述金属层作为第三输入/输出端口；所述在所述介质层上制备多个金属孔，包括：在所述介质层上生长掩膜材料，以刻蚀形成多个介质孔；使用金属材料填充每个所述介质孔，以得到所述多个金属孔。
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