[发明专利]一种忆阻器和传感器有效
| 申请号： | 201510306360.9 | 申请日： | 2015-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN106289329B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 夏奕东;陈岩;黄文龙;罗彩珠 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司;南京大学 |
| 主分类号： | G01D5/12 | 分类号： | G01D5/12;H01L45/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫;熊永强 |
| 地址： | 518129 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种忆阻器，所述忆阻器包括衬底、反应电极、非反应电极和位于反应电极、非反应电极之间的转换层，反应电极、转换层和非反应电极共同构成三明治结构，三明治结构设置在衬底的表面，其中，所述转换层的材质为M‑Ge‑N，所述反应电极的材质为M，M为银或铜，N为硒或碲，所述反应电极用于在电场诱导作用下氧化成M离子，所述M离子进入所述转换层并在所述反应电极与所述转换层的接触界面处或所述转换层M‑Ge‑N的缺陷处参与形成MN纳米线，所述MN纳米线在电场的幅值和电场作用时间的控制下获得不同的尺寸和形状。该忆阻器对不同频率的光均有强烈的吸收，产生不同响应波长的LSPR现象，从而实现对不同种类物质的传感。本发明还提供了包含该忆阻器的传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 忆阻器 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种忆阻器，其特征在于，所述忆阻器包括衬底、反应电极、非反应电极和位于反应电极、非反应电极之间的转换层，所述反应电极、转换层和非反应电极共同构成三明治结构，所述三明治结构设置在所述衬底的表面，其中，所述转换层的材质为M‑Ge‑N，所述反应电极的材质为M，M为银或铜，N为硒或碲，所述反应电极用于在电场诱导作用下氧化成M离子，所述M离子进入所述转换层并在所述反应电极与所述转换层的接触界面处或在所述转换层M‑Ge‑N的缺陷处参与形成MN纳米线，所述MN纳米线在电场的幅值和电场作用时间的控制下获得不同的尺寸和形状。
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