[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201510300781.0 申请日: 2015-06-03
公开(公告)号: CN104851894B 公开(公告)日: 2017-12-22
发明(设计)人: 宁策;张方振 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/84;H01L21/28
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 彭瑞欣,陈源
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置,该阵列基板的制备方法至少包括以下步骤形成第一电极层、栅金属层和第一非氧化物绝缘材料层,所述第一非氧化物绝缘材料层形成于所述栅金属层的上表面上;采用一次构图工艺形成包括所述第一电极和所述栅极的图形,在该构图工艺完成后,在所述栅极上还形成有第一非氧化物绝缘层以及在所述栅极下方还形成有属于所述第一电极层的第一子电极。该阵列基板的制备方法简单,有利于阵列基板和显示装置量产化。
搜索关键词: 阵列 及其 制备 方法 显示装置
【主权项】:
一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述阵列基板的制备方法至少包括以下步骤:形成第一电极层、栅金属层和第一非氧化物绝缘材料层,所述第一非氧化物绝缘材料层形成于所述栅金属层的上表面上;在形成所述第一非氧化物绝缘材料层之后还包括形成半导体层、源漏金属层和第二非氧化物绝缘材料层,所述第二非氧化物绝缘材料层形成于所述源漏金属层的上表面上;采用一次构图工艺形成包括第一电极和栅极的图形,在该构图工艺完成后,在所述栅极上还形成有第一非氧化物绝缘层以及在所述栅极下方还形成有属于所述第一电极层的第一子电极;采用一次构图工艺形成包括所述第一电极、所述栅极的图形的同时,还形成包括有源层、源电极和漏电极的图形,在该构图工艺完成后,在所述源电极和所述漏电极上均形成有第二非氧化绝缘层。
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