[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置有效
| 申请号: | 201510300781.0 | 申请日: | 2015-06-03 |
| 公开(公告)号: | CN104851894B | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
| 发明(设计)人: | 宁策;张方振 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;H01L21/28 |
| 代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人: | 彭瑞欣,陈源 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示装置,该阵列基板的制备方法至少包括以下步骤形成第一电极层、栅金属层和第一非氧化物绝缘材料层,所述第一非氧化物绝缘材料层形成于所述栅金属层的上表面上;采用一次构图工艺形成包括所述第一电极和所述栅极的图形,在该构图工艺完成后,在所述栅极上还形成有第一非氧化物绝缘层以及在所述栅极下方还形成有属于所述第一电极层的第一子电极。该阵列基板的制备方法简单,有利于阵列基板和显示装置量产化。 | ||
| 搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述阵列基板的制备方法至少包括以下步骤:形成第一电极层、栅金属层和第一非氧化物绝缘材料层,所述第一非氧化物绝缘材料层形成于所述栅金属层的上表面上;在形成所述第一非氧化物绝缘材料层之后还包括形成半导体层、源漏金属层和第二非氧化物绝缘材料层,所述第二非氧化物绝缘材料层形成于所述源漏金属层的上表面上;采用一次构图工艺形成包括第一电极和栅极的图形,在该构图工艺完成后,在所述栅极上还形成有第一非氧化物绝缘层以及在所述栅极下方还形成有属于所述第一电极层的第一子电极;采用一次构图工艺形成包括所述第一电极、所述栅极的图形的同时,还形成包括有源层、源电极和漏电极的图形,在该构图工艺完成后,在所述源电极和所述漏电极上均形成有第二非氧化绝缘层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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