[发明专利]一种超结MOSFET结构及其制备方法

摘要

本发明公开了一种超结MOSFET结构及其制备方法，采用深槽刻蚀技术，避免了传统工艺中多次光刻、离子注入以及外延生长等复杂工艺，有效降低了制造成本，且通过在超结MOSFET中生长厚氧区，在保证导通电阻的同时有效提高了器件的击穿电压。

主权项

1.一种超结MOSFET的制备方法，其特征在于，包括：提供硅衬底，硅衬底包括衬底层和外延层，并在所述硅衬底的一外表面上刻蚀沟槽，包括：在所述外延层的外表面生长第一氧化层；对所述第一氧化层进行刻蚀处理，形成氧化层窗口；对所述氧化层窗口暴露的外延层部分进行刻蚀，形成所述沟槽，第一氧化层的厚度要达到700nm；在沟槽内淀积重掺杂多晶硅层，并将所述重掺杂多晶硅层中的杂质扩散到所述硅衬底中，形成扩散柱；其中，所述重掺杂多晶硅层的掺杂类型与所述硅衬底的掺杂类型相反；包括：对所述沟槽内壁进行氧化生成第二氧化层；在氧化后的沟槽内淀积重掺杂多晶硅层，所述重掺杂多晶硅层的掺杂类型与所述硅衬底的掺杂类型相反；在所述第二氧化层的保护下，将所述重掺杂多晶硅层中的杂质扩散到所述硅衬底中，形成扩散柱，第二氧化层的厚度在0.1nm～0.3nm的范围内；对所述重掺杂多晶硅进行氧化直至填满所述沟槽，形成厚氧区；在所述扩散柱外表面预设的硅体区，注入与所述扩散柱掺杂类型相同的离子；在所述扩散柱与所述硅体区之间的预设源区，注入与所述硅体区掺杂类型相反的离子，形成源极；在所述硅体区和所述源区上制备栅氧多晶层，形成栅极；在所述栅氧多晶层上制备介质层和金属层，形成漏极。