[发明专利]离子注入角的监测方法

摘要

本发明提供一种离子注入角度的监测方法，包括：提供多片监测晶片；将监测晶片依次放入离子注入机内进行离子注入；监测晶片具有一定的离子注入倾斜角及晶片旋转角，且任意两片监测晶片的离子注入倾斜角及晶片旋转角中至少一者互不相等。采用热波量测离子注入完成的监测晶片的表面，以获得热波值，根据热波值判断离子注入角的准确性。本发明通过在离子注入的过程中使得不同监测晶片具有不同的离子注入倾斜角或旋转角，并将得到的监测晶片进行热波量测后进行比对分析，有效地排除了晶格偏移的影响，使得监测的结果具有更高的准确性；同时，整个监测过程只需要对六片监测晶片进行离子注入和热波量测分析，大大节省了测量的时间和测量的成本。

主权项

1.一种离子注入角度的监测方法，其特征在于：包括以下步骤：提供六片监测晶片，所述监测晶片均具有一凹口；将所述监测晶片依次放入离子注入机内进行离子注入；在离子注入过程中，所述监测晶片具有一定的离子注入倾斜角及晶片旋转角；其中，任意两片所述监测晶片的所述离子注入倾斜角及晶片旋转角中至少一者互不相等；采用热波量测离子注入完成的所述监测晶片的表面，以获得热波值，根据所述热波值判断离子注入角的准确性，该过程具体包括步骤：定义所述监测晶片的中心为坐标中心，并区分所述监测晶片上的点至所述坐标中心距离的正负；定义离子束注入倾斜角的第一方向与第二方向；以热波值为纵坐标，监测晶片上的点至监测晶片中心的距离为横坐标分别拟合出第一片、第二片、第三片及第五片所述监测晶片在第二方向及其反方向上的抛物线，并分别求出所述抛物线的对称轴；分别计算第一片、第二片及第三片所述监测晶片在所述第二方向及其反方向上的热波值的平均值，以所述平均值为纵坐标，离子注入倾斜角为横坐标分别拟合出第一片、第二片及第三片所述监测晶片的综合抛物线，并求出所述综合抛物线的对称轴；以热波值为纵坐标，监测晶片上的点至监测晶片中心的距离为横坐标分别拟合出第四片及第六片所述监测晶片在所述第一方向及其反方向上的抛物线，并分别求出所述抛物线的对称轴；第一片至第六片所述监测晶片对应的抛物线的对称轴均为以距离表示的对称轴，将所述以距离表示的对称轴分别转化为以角表示的对称轴；第四片所述监测晶片对应的抛物线的对称轴与第六片所述监测晶片对应的抛物线的对称轴之和的一半即为所述监测晶片在所述第一方向上的晶格偏移角；第一片至第三片所述监测晶片对应的综合抛物线的对称轴与所述监测晶片在所述第一方向上的晶格偏移角之差即为注入离子束在所述第一方向上的离子注入倾斜角；第二片所述监测晶片对应的抛物线的对称轴与第五片所述监测晶片对应的抛物线的对称轴之和的一半即为所述监测晶片在所述第二方向上的晶格偏移角；第二片所述监测晶片对应的抛物线的对称轴与所述监测晶片在所述第二方向上的晶格偏移角之差即为注入离子束在所述第二方向上的离子注入倾斜角。