[发明专利]用于在反应性金属膜上电化学沉积金属的方法有效

专利信息
申请号: 201510290730.4 申请日: 2015-05-29
公开(公告)号: CN105274595B 公开(公告)日: 2020-01-03
发明(设计)人: 罗伊·沙维夫;伊斯梅尔·T·埃迈什;迪米特里奥斯·阿吉里斯;塞尔达·阿克苏 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: C25D5/10 分类号: C25D5/10
代理公司: 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 代理人: 徐金国;赵静
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 根据本公开案的一个实施方式,提供了一种用于在工件上的反应性金属膜上沉积金属的方法,所述方法包含:使用电镀电解液以及施加在约‑1V至约‑6V范围内的阴极电势来在工件上形成的种晶层上电化学地沉积金属化层,所述电镀电解液具有至少一种电镀金属离子和约6至约11的pH范围。其中所述工件包括设置在所述工件的所述种晶层和电介质表面之间的阻挡层,所述阻挡层包含第一金属,所述第一金属具有比0V更负性的标准电极电势,以及所述种晶层包含第二金属,所述第二金属具有比0V更正性的标准电极电势。
搜索关键词: 用于 反应 金属膜 电化学 沉积 金属 方法
【主权项】:
1.一种用于在工件上的反应性金属膜上沉积金属的方法,所述方法包括:/n在工件上形成的种晶层上电化学地沉积金属化层,其中所述工件包括非金属基板、锰或氮化锰的阻挡层、扩散阻挡层及所述种晶层,所述非金属基板具有设置在所述基板之上的电介质层,所述锰或氮化锰的阻挡层设置在所述工件的所述种晶层和电介质表面之间,所述阻挡层包含第一金属锰,所述第一金属锰具有比0V更负性的标准电极电势,其中锰为所述阻挡层中仅有的金属,所述扩散阻挡层在所述电介质层与所述阻挡层之间的界面处,其中所述扩散阻挡层包含MnSiO氧化物,以及所述种晶层具有小于200埃的厚度,其中所述种晶层包含第二金属,所述第二金属具有比0V更正性的标准电极电势,所述工件具有至少一个微特征结构,所述微特征结构包括特征结构大小小于或等于50nm的凹形结构,在形成所述金属化层的同时防止所述种晶层或所述阻挡层的溶解,并且使用电镀电解液和施加在-1V至-6V范围内的阴极电势来形成所述金属化层,所述电镀电解液具有在所述电镀电解液中的至少一种电镀金属离子和6至11的pH范围,其中所施加的阴极电势与所述第一金属和第二金属的标准电极电势平均值之间的差值的绝对值为大于1.0V。/n
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