[发明专利]基于金属氮化物半导体的氮极性面发光二极管及制备方法有效
| 申请号： | 201510287664.5 | 申请日： | 2015-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN104835893B | 公开（公告）日： | 2017-06-13 |
| 发明（设计）人： | 张雄;张恒;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L33/36 | 分类号： | H01L33/36 |
| 代理公司： | 江苏永衡昭辉律师事务所32250 | 代理人： | 王斌 |
| 地址： | 210096*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于金属氮化物半导体的氮极性面发光二极管，属于半导体器件技术领域。该发光二极管包括自下而上依次设置的氮极性面n型半导体层、氮极性面多量子阱有源区、氮极性面电子阻挡层、氮极性面p型半导体层，所述氮极性面p型半导体层上层设置有p型电极，所述发光二极管还包括设置于氮极性面n型半导体层侧面且与氮极性面n型半导体层完全键合的金属极性面n型半导体层，所述金属极性面n型半导体层的上表面设置有n型电极。相比现有技术，本发明以金属极性面n型半导体层作为氮极性面发光二极管中n型半导体层的欧姆接触层，可以避免氮极性面n型半导体层上不易制作良好欧姆电极的问题，且制备工艺简单，实现成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 金属 氮化物 半导体 极性 发光二极管 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种基于金属氮化物半导体的氮极性面发光二极管，包括自下而上依次设置的氮极性面n型半导体层、氮极性面多量子阱有源区、氮极性面电子阻挡层、氮极性面p型半导体层，所述氮极性面p型半导体层上层设置有p型电极，其特征在于，所述发光二极管还包括设置于氮极性面n型半导体层侧面且与氮极性面n型半导体层完全键合的金属极性面n型半导体层，所述金属极性面n型半导体层的上表面设置有n型电极。
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