[发明专利]半导体存储器件及其操作方法在审
| 申请号： | 201510280646.4 | 申请日： | 2015-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN106205697A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 周炳仁 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种半导体存储器件及其操作方法。所述器件包括存储器单元阵列，其包括有多个布置为多个列的存储器单元；外围电路，配置为当执行编程操作时对多个存储器单元中的所选择的存储器单元进行编程；以及控制逻辑，配置为在编程操作期间控制外围电路。所述控制逻辑控制外围电路使得在编程操作期间故障位屏蔽操作以及最高有效位(MSB)数据编程操作被同时执行。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种半导体存储器件，包括：存储器单元阵列，包括多个存储器单元；外围电路，配置为当执行编程操作时对自所述存储器单元中选择的存储器单元进行编程；以及控制逻辑，配置为在编程操作期间控制外围电路，其中，所述控制逻辑控制所述外围电路使得在编程操作期间故障位屏蔽操作以及最高有效位MSB数据编程操作被同时执行。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510280646.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体存储器件及其操作方法
- 下一篇：存储器匹配线动态锁存电路
