[发明专利]一种半导体器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种半导体器件及其制备方法，所述器件包括衬底；位于所述衬底上的半导体层，所述半导体层中包括有源区和与所述有源区相邻的无源区；位于所述半导体层上的源极、漏极、以及位于所述源极和所述漏极之间的栅极；所述栅极、源极和漏极中至少有一种电极分成至少两段，其中一段位于所述有源区上，其中一段位于所述无源区上。本发明在半导体层中形成无源区，破坏了部分栅极、源极或/和漏极下面区域的导电沟道，使沟道产生的热量减少，即减少了半导体器件的自热，而栅极、源极和漏极的面积不变，相对而言，增大了器件的散热面积，使热量能够有效地散发出去。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；位于所述衬底上的半导体层，所述半导体层中包括有源区和与所述有源区相邻的无源区；位于所述半导体层上的源极、漏极、以及位于所述源极和所述漏极之间的栅极；所述栅极、源极和漏极中至少有一种电极分成至少两段，其中一段位于所述有源区上，其中一段位于所述无源区上；所述有源区和所述无源区沿所述源极、所述栅极和所述漏极的排布方向延伸，沿所述栅极的宽度方向间隔分布；所述栅极包括所述有源区上的第一栅极和所述无源区上的第二栅极，所述源极包括所述有源区上的第一源极和所述无源区上的第二源极，所述漏极包括所述有源区上的第一漏极和所述无源区上的第二漏极；单段第二栅极的宽度大于其下方的所述无源区的宽度；单段第一栅极的厚度小于单段第二栅极的厚度，且单段第二栅极高出单段第一栅极的部分覆盖单段第一栅极的一部分。