[发明专利]一种反射电极制程工艺

摘要

本发明提供一种反射电极制程工艺，包括以下步骤步骤(1)首先进行外延片清洗，进行P‑SiO2沉积，黄光光刻，化学腐蚀、去胶清洗，在外延片上得到P‑SiO2图形；步骤(2)将步骤(1)得到的外延片进行ITO前清洗，再镀ITO膜层；进行黄光Mesa光刻、再浸泡ITO蚀刻液；步骤(3)ITO蚀刻完成后甩干；步骤(4)进行钝化层SiO2黄光光刻，将P电极区域露出；步骤(5)RTA融合后，进行钝化层SiO2沉积，然后进行P‑N负胶光刻，浸泡BOE蚀刻液进行蚀刻后甩干；再金属蒸镀，去胶、清洗。本发明将ITO薄膜的沉积工序前置，同时取消了ITO黄光光刻工序，再将钝化层氧化硅沉积工序前置避免了氢氟酸与金属电极的接触。

主权项

一种反射电极制程工艺，其特征在于：包括以下步骤：步骤(1)：选取外延片，首先进行外延片清洗，外延清洗后，进行P‑SiO2沉积，黄光光刻，化学腐蚀、去胶清洗，在外延片上得到P‑SiO2图形；步骤(2)：将步骤(1)得到的外延片进行ITO前清洗，再镀ITO膜层；ITO膜层蒸镀完成后，进行黄光Mesa光刻、再浸泡ITO蚀刻液，通过控制蚀刻时间来达到控制ITO薄膜边缘到Mesa边缘的距离；步骤(3)：ITO蚀刻完成后甩干，进行ICP刻蚀，去胶、清洗甩干；步骤(4)：进行钝化层SiO2黄光光刻，浸泡ITO蚀刻液进行蚀刻，去胶、清洗，将P电极区域露出；步骤(5)：RTA融合后，进行钝化层SiO2沉积，然后进行P‑N负胶光刻，浸泡BOE蚀刻液进行蚀刻后甩干；再金属蒸镀，去胶、清洗。