[发明专利]一种金属硬质掩模一体化刻蚀通孔过刻蚀量的检测方法有效
| 申请号： | 201510277903.9 | 申请日： | 2015-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN105097589B | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | 江旻;曾林华;任昱;吕煜坤;朱骏;张旭升 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;陈慧弘 |
| 地址： | 201210 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种金属硬质掩模一体化刻蚀通孔过刻蚀量的检测方法，在采用金属硬掩模一体化刻蚀技术进行通孔的刻蚀过程中，通过光谱EPD系统建立刻蚀生成物光谱信号强度随时间变化的光谱曲线，定义光谱曲线的斜率变化率按时间顺序在一定的连续时间内达到第一阈值时为通孔部分接触铜阶段、达到第二阈值时为通孔完全接触铜阶段，自通孔完全接触铜的时间点开始计算通孔的过刻蚀时间，并通过控制过刻蚀时间，将通孔的过刻蚀量控制在一定范围。本发明利用光谱EPD系统进行非破坏性的实时监测，可减少工艺研发的成本，加强生产监测，降低风险。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 硬质 一体化 刻蚀 检测 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属硬质掩模一体化刻蚀通孔过刻蚀量的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S01：提供一集成有光谱EPD系统的金属硬质掩模一体化刻蚀腔体，按照工艺菜单进行通孔刻蚀，并通过所述光谱EPD系统建立刻蚀生成物光谱信号强度随时间变化的光谱曲线；步骤S02：定义所述光谱曲线的斜率变化率按时间顺序在一定的连续时间内达到第一阈值时为通孔部分接触铜阶段、达到第二阈值时为通孔完全接触铜阶段，通过在光谱EPD系统定义的终点侦测的算法，对光谱曲线的斜率变化率按时间顺序在一定的连续时间内进行计算；步骤S03：自通孔完全接触铜的时间点开始计算通孔的过刻蚀时间，并通过控制过刻蚀时间，将通孔的过刻蚀量控制在一定范围。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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