[发明专利]一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器及其制备方法，本发明在高电子迁移率晶体管的栅极金属薄膜上设置了一层光电阴极薄膜。光谱检测时，光辐射射到光电阴极薄膜上，使光电阴极薄膜发生外光电效应，其表面电荷分布发生变化，使栅极电压发生改变，导致高电子迁移率晶体管内部的二维电子气产生或浓度发生变化，从而使高电子迁移率晶体管的沟道电流发生变化，使光波信号转变为电信号，实现对光辐射的高灵敏度探测。

主权项

一种基于高电子迁移率晶体管的光谱探测器，其特征在于，所述光谱探测器包括高电子迁移率晶体管以及覆盖于所述高电子迁移率晶体管的栅极金属薄膜上的光电阴极薄膜；所述光谱探测器还包括位于所述栅极金属薄膜和所述光电阴极薄膜之间的钛金属层。