[发明专利]一种纳米图形化方法有效
| 申请号： | 201510275200.2 | 申请日： | 2015-05-26 |
| 公开（公告）号： | CN104986722B | 公开（公告）日： | 2017-06-06 |
| 发明（设计）人： | 欧欣;斯蒂芬·福斯柯;贾棋;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所;德国亥姆霍兹德累斯顿罗森多夫研究中心 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种纳米图形化的方法，所制备结构单元具有周期性排列，所述纳米图形化方法包括以下步骤提供至少由两种化学元素组成的单晶材料的衬底；对衬底或表面进行加热；利用离子束辐照衬底表面，在衬底表面产生空位。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 纳米 图形 方法 | ||
【主权项】：
一种纳米图形化方法，其特征在于，所述纳米图形化方法包括下述步骤：提供由至少两种化学元素所组成的单晶材料作为衬底；对所述衬底进行加热，使所述衬底在离子束辐照时的温度至少要达到材料的再结晶温度，温度最高为到材料表面台阶Ehrlich‑Schwoebel势垒失效温度；用离子束辐照所述衬底，以在所述衬底中产生晶格空位，通过空位的自组装从而制备具有空间周期性排列的表面纳米结构阵列。
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