[发明专利]SiC基复合材料的制备方法有效
| 申请号： | 201510264794.7 | 申请日： | 2015-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN104892013B | 公开（公告）日： | 2017-08-25 |
| 发明（设计）人： | 周新贵;杨会永;黄泽兰;王洪磊;余金山;杨备;殷刘彦;喻雄 | 申请（专利权）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| 主分类号： | C04B35/80 | 分类号： | C04B35/80;C04B35/565;C04B35/64 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙)43008 | 代理人： | 赵洪 |
| 地址： | 410073 湖南省长沙市开福区德雅路*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SiC基复合材料的制备方法，包括以下步骤（1）制备CVD涂层；（2）真空浸渍；（3）烘干；（4）微波裂解；（5）重复步骤（2）～（4），得到SiC基复合材料。该方法具有快速、高效、可提高材料力学性能等优点。 | ||
| 搜索关键词： | sic 复合材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种SiC基复合材料的制备方法，包括以下步骤：（1）制备CVD涂层：对纤维预制件进行CVD处理，得到带有CVD涂层的纤维预制件；（2）真空浸渍：用SiC先驱体对带有CVD涂层的纤维预制件进行真空浸渍，得到真空浸渍后的纤维预制件；（3）烘干：烘干步骤（2）所得的真空浸渍后的纤维预制件，得到烘干纤维预制件；（4）微波裂解：将步骤（3）所得的烘干纤维预制件在惰性气氛保护下进行微波烧结，具体是以30℃/min～100℃/min的升温速度升温至800℃～1500℃，保温0.1h～6h，使SiC先驱体进行裂解，得到裂解纤维预制件；（5）重复步骤（2）～（4），得到SiC基复合材料。
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