[发明专利]一种半导体器件的制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种半导体器件的制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。包括：提供第一衬底，从第一衬底的第一表面在第一衬底内形成具有第一深度的浅沟槽隔离，其中第一深度为浅沟槽隔离的底部至第一表面的距离；形成覆盖第一衬底的第一表面的介电盖帽层；提供承载衬底，将第一衬底的形成有介电盖帽层的一侧与承载衬底相接合；从与第一表面相对的第二表面对第一衬底进行减薄处理至第二深度；以减薄处理后的第一衬底作为器件层进行半导体器件的制作。本发明实施例的方法，由于包括在第一衬底上接合承载衬底并对第一衬底进行减薄处理的步骤，第一衬底可以采用普通的体硅衬底作为基本的器件层衬底，可以降低成本。

主权项

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：步骤S201：提供第一衬底(100)，从所述第一衬底(100)的第一表面(1001)在所述第一衬底(100)内形成具有第一深度的浅沟槽隔离(103)，其中所述第一深度为所述浅沟槽隔离(103)的底部至所述第一表面(1001)的距离；步骤S202：形成覆盖所述第一衬底(100)的所述第一表面(1001)和所述浅沟槽隔离的介电盖帽层(104)，其中，所述介电盖帽层的材料包括氧化物、氮化物和氮氧化物中的一种；步骤S203：提供承载衬底(200)，将所述第一衬底(100)的形成有所述介电盖帽层(104)的一侧与所述承载衬底(200)相接合；步骤S204：从与所述第一表面(1001)相对的第二表面(1002)对所述第一衬底(100)进行减薄处理至第二深度，其中所述第二深度为减薄处理后所述第二表面至所述第一表面(1001)的距离；步骤S205：以所述减薄处理后的所述第一衬底(100)作为器件层进行半导体器件的制作。