[发明专利]改善太赫兹混频器微组装的新型混合集成电路

摘要

本发明公开了一种改善太赫兹混频器微组装的新型混合集成电路，涉及多重频率变换的电子器件技术领域。包括射频波导、本振波导和石英电路基板，第二传输微带线和第三传输微带线的长度和宽度均一致，第二传输微带线和第三传输微带线的宽度与GaAs肖特基二极管衬底的宽度一致，第二传输微带线和第三传输微带线左右边缘的距离与GaAs肖特基二极管衬底的长度一致，第二传输微带线和第三传输微带线的长度不大于GaAs肖特基二极管焊盘的长度，GaAs肖特基二极管倒装焊接时正好将第二传输微带线和第三传输微带线的区域覆盖。所述集成电路有效提高了GaAs肖特基二极管倒装焊接的精度，可以降低混频器的变频损耗。

主权项

一种改善太赫兹混频器微组装的新型混合集成电路，其特征在于：包括射频波导（101）、本振波导（102）和石英电路基板（103），石英电路基板（103）上的第一传输微带线（106）横跨在射频波导（101）上，用于将射频信号从射频波导（101）中引入到石英电路进行传输，本振过渡微带线（113）横跨在本振波导（102）上，用于将本振信号从本振波导（102）中引入石英电路进行传输，射频波导（101）和本振波导（102）保持间隔设置，所述射频波导（101）右侧的石英电路基板（103）上设有第二传输微带线（104），所述本振波导（102）左侧的石英电路基板（103）上设有第三传输微带线（108），GaAs肖特基二极管（109）焊接在第二传输微带线（104）和第三传输微带线（108）上，第二传输微带线（104）和第三传输微带线（108）的长度和宽度均一致，第二传输微带线（104）和第三传输微带线（108）的宽度与GaAs肖特基二极管（109）衬底的宽度一致，第二传输微带线（104）和第三传输微带线（108）左右边缘的距离与GaAs肖特基二极（109）管衬底的长度一致，第二传输微带线（104）和第三传输微带线（108）的长度不大于GaAs肖特基二极管（109）焊盘的长度，GaAs肖特基二极管（109）倒装焊接时正好将第二传输微带线（104）和第三传输微带线（108）的区域覆盖。