[发明专利]一种制备纳米晶合金的热处理方法

摘要

本发明公开了一种制备纳米晶合金的热处理方法。该方法在非晶晶化法制备纳米晶合金材料时，将热处理过程分为两步，第一步利用非晶合金带材高导热率和低热容的特点，进行快速升温和短时间保温的预热处理，激发带材中形成高密度和均匀分布的晶核，然后在第二步的常规纳米晶化热处理中，使高密度晶粒同步生长，利用晶粒间的竞争作用促进晶粒细化。与现有的热处理方法相比，该方法分开控制非晶晶化的形核和晶粒长大过程，提高了晶粒密度与结晶度、提高了晶粒尺寸与分布的均匀性，并且细化了晶粒，从而提高了合金的性能。

主权项

一种制备纳米晶合金的热处理方法，包括快淬凝固制备带材的过程；还包括将所述带材经热处理制得纳米晶合金材料的过程；或者，将所述带材绕制为磁芯，然后经热处理制得纳米晶合金材料的过程；其特征是：所述的热处理分为如下两步：第一步，称为预热处理：将所述带材“快速”升温至预处理温度并“短时间”保温后冷却，所述的升温速率高于100℃/min，所述的预处理温度在最佳形核温度区间，所述的保温时间小于5分钟；第二步：采用常规纳米晶化热处理工艺，将预热处理后的带材升温至热处理温度并保温一定时间后冷却；或者，采用常规纳米晶化热处理工艺，将预热处理后的带材绕制成磁芯，将磁芯升温至热处理温度并保温一定时间后冷却；所述的热处理温度在最佳晶粒长大温度区间；所述带材的DSC晶化曲线中，第一晶化结束温度到第二晶化起始温度之间的温度区间为最佳形核温度区间，第一晶化起始温度到第一晶化结束温度之间的温度区间为最佳晶粒长大温度。