[发明专利]半导体元件制造方法在审
| 申请号： | 201510259513.9 | 申请日： | 2015-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN106298656A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 杨宗杰 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/28 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台湾新*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体元件制造方法，首先，提供具有第一晶体管结构与第二晶体管结构的基板。其中，第一晶体管结构具有第一栅极沟槽，第二晶体管结构具有第二栅极沟槽。接着，在第一栅极沟槽与第二栅极沟槽中形成第一功函数金属层，并于第一功函数金属层上形成平坦层。之后，在平坦层上形成图案化光致抗蚀剂层，再蚀刻部分位于第二晶体管结构上的平坦层。接着，去除图案化光致抗蚀剂层之后，全面蚀刻平坦层直至完全去除位于第二晶体管结构上的平坦层，而保留图案化平坦层覆盖住第一晶体管结构。最后，去除位于第二栅极沟槽中的第一功函数金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体元件制造方法，其步骤包括：提供具有第一晶体管结构与第二晶体管结构的基板，其中，该第一晶体管结构具有第一栅极沟槽，该第二晶体管结构具有第二栅极沟槽；在该第一栅极沟槽与该第二栅极沟槽中形成一第一功函数金属层；在该第一功函数金属层上形成一平坦层，该平坦层填满该第一栅极沟槽与该第二栅极沟槽；在该平坦层上形成一图案化光致抗蚀剂层；以该图案化光致抗蚀剂层作为掩模层，蚀刻部分位于该第二晶体管结构上的该平坦层；去除该图案化光致抗蚀剂层；在去除该图案化光致抗蚀剂层后，全面蚀刻该平坦层直至完全去除位于该第二晶体管结构上的该平坦层，而保留一图案化平坦层覆盖住该第一晶体管结构；以及以该图案化平坦层作为硬掩模层，去除位于该第二栅极沟槽中的该第一功函数金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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