[发明专利]一种晶圆凸块形成方法在审
| 申请号： | 201510259154.7 | 申请日： | 2015-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN106298706A | 公开（公告）日： | 2017-01-04 |
| 发明（设计）人： | 薛兴涛;孟津;王玲;何智清 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种晶圆凸块形成方法，其包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成凸块；在所述凸块上形成焊料球；对所述半导体衬底进行清洗，以去除所述焊料表面的氧化物；执行高温回流，以使所述凸块形成稳定的合金。本发明提出的晶圆凸块形成方法，在形成凸块之后，在对所述凸块进行高温回流之前，对所述凸块进行清洗，以去除锡银焊料球表面的氧化物，这样后续在进行高温回流时由于焊料球表面的氧化物已经去除，因而减少了甲酸与氧化物反应产生的颗粒缺陷，提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆凸块 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆凸块形成方法，其特征在于，包括下述步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成凸块；在所述凸块上形成焊料球；对所述半导体衬底进行清洗，以去除所述焊料表面的氧化物；执行高温回流，以使所述凸块形成稳定的合金。
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