[发明专利]半导体器件及其操作方法有效
| 申请号： | 201510256057.2 | 申请日： | 2015-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN106205695B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | 韩周玹 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 俞波;毋二省 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了一种半导体器件及其操作方法。所述方法包括确定所选择的存储块的退化程度，当确定所选择的存储块尚未退化时则以第一编程操作条件对所选择的存储块执行编程操作，并且当确定所选择的存储块为退化时则以第二编程操作条件对所选择的存储块执行编程操作，并且对所选择的存储块的编程操作时间进行更新。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种操作半导体器件的方法，包括：确定所选择的存储块的退化程度；当确定所选择的存储块尚未退化时则利用第一编程操作条件对所选择的存储块执行编程操作，并且当确定所选择的存储块为退化时则利用第二编程操作条件对所选择的存储块执行编程操作；并且对所选择的存储块的编程操作时间进行更新。
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