[发明专利]一种FinFET器件界面态的测量结构及测量方法、电子装置有效
| 申请号： | 201510255703.3 | 申请日： | 2015-05-19 |
| 公开（公告）号： | CN106298564B | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 周飞 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L29/78 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种FinFET器件界面态的测量结构及测量方法、电子装置。所述测量结构，包括：阱区，位于半导体衬底中；鳍片，位于所述阱区的上方；栅极结构，位于部分所述鳍片上方并且环绕所述鳍片；脉冲源，与所述栅极结构相连；第一类型掺杂区域，位于所述栅极结构一侧露出的所述鳍片中；第二类型掺杂区域，位于所述栅极结构另一侧露出的所述鳍片中；电流表，连接于所述第一类型掺杂区域和所述第二类型掺杂区域之间。本发明所述测试结构可以规避(circumvent)所述FinFET器件与半导体衬底接触弱的问题，还可以通过电荷泵的方法来测定界面态。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 finfet 器件 界面 测量 结构 测量方法 电子 装置 | ||
【主权项】：
1.一种FinFET器件界面态的测量结构，包括：阱区，位于半导体衬底中；鳍片，位于所述阱区的上方；栅极结构，位于部分所述鳍片上方并且环绕所述鳍片；脉冲源，与所述栅极结构相连；第一类型掺杂区域，位于所述栅极结构一侧露出的所述鳍片中；第二类型掺杂区域，位于所述栅极结构另一侧露出的所述鳍片中；电流表，连接于所述第一类型掺杂区域和所述第二类型掺杂区域之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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