[发明专利]形成晶体管的方法有效
| 申请号： | 201510252854.3 | 申请日： | 2015-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN106206706B | 公开（公告）日： | 2019-12-20 |
| 发明（设计）人： | 让-皮埃尔·科林格;卡洛斯·H.·迪亚兹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L29/165;H01L21/335;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 11409 北京德恒律治知识产权代理有限公司 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 根据另一实施例，提供了形成晶体管的方法。该方法包括以下操作：提供衬底；在衬底上方提供源极；提供连接至源极的沟道；提供连接至沟道的漏极；提供邻近沟道的栅极绝缘体；提供邻近栅极绝缘体的栅极；在源极和栅极之间提供第一层间电介质；以及在漏极和栅极之间提供第二层间电介质，其中，形成的源极、漏极和沟道中的至少一个包括约20％至95％原子百分比的Sn。本发明涉及形成晶体管的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管，包括：/n衬底；/n源极；/n漏极；以及/n沟道，位于所述源极和所述漏极之间，其中，所述源极、所述漏极和所述沟道中的至少一个含有70％至95％原子百分比的Sn；/n其中，所述源极、所述漏极和所述沟道相对于所述衬底在垂直方向上堆叠，所述垂直方向垂直于所述沟道的截面面积，所述源极和所述漏极的截面面积大于所述沟道的截面面积，其中，所述沟道所在的纳米线未接触所述衬底。/n
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