[发明专利]分子平面平行于Si/SiO2表面的卟啉单分子层的制备方法

摘要

有机薄膜晶体管(OTFT)中的电荷传输发生在绝缘层/半导体层界面附近的几个分子层，因此这个界面层的性质对于器件的性能起着决定性的作用。本发明利用自组装、表面化学增长的办法在Si/SiO₂衬底上制备卟啉单分子层，使其大环平面平行于衬底表面；通过使用不同金属离子(Zn²⁺，Fe²⁺，Cu²⁺，Ni²⁺，Co²⁺)形成的具有丰富电子结构的卟啉单分子层来调节Si/SiO₂表面电势与电荷分布；提供一种有效制备有机分子face‑on排列的方法，进而研究face‑on排列对器件性能的影响。

主权项

1.一种制备用于修饰有机薄膜晶体管衬底Si/SiO2表面而以face‑on方式排列的卟啉分子层的方法，其特征在于在Si/SiO2表面自组装一层3‑马来酰亚胺基丙基三乙氧基硅烷分子，再利用卟啉分子末端的四个官能团与3‑马来酰亚胺基丙基三乙氧基硅烷中的双键发生化学键合形成一层卟啉分子，其大环结构平行于衬底表面，以face‑on方式排列。