[发明专利]一种集成电路及形成集成电路的方法有效
| 申请号： | 201510245441.2 | 申请日： | 2015-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN105097819B | 公开（公告）日： | 2018-12-14 |
| 发明（设计）人： | 庄学理;吴伟成;高雅真;朱芳兰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/11563 | 分类号： | H01L27/11563 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及具有低多晶硅电阻和高编程/擦除速度、利用替代栅极技术将非易失性存储器(NVM)嵌入HKMG集成电路中的结构和方法。在HKMG电路的替代栅极工艺之后，在NVM器件的顶面上方形成的硅化物层防止了接触件形成期间的多晶硅损坏，并且提供了低栅极电阻，从而提高了NVM器件的编程/擦除速度。本发明涉及HKMG技术中嵌入式闪存的双硅化物形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | hkmg 技术 嵌入式 闪存 双硅化物 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路(IC)，包括：半导体衬底，包括外围区域和存储单元区域；高K 金属栅极(HKMG)电路，设置在所述外围区域上；第一存储单元，形成在所述存储单元区域上，包括选择栅极(SG)和存储栅极(MG)；以及硅化物层，设置在所述第一存储单元的所述选择栅极和所述存储栅极的顶面上；硬掩模层，覆盖在所述高K金属栅极电路的顶面上方；金属接触件，延伸至所述硅化物层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510245441.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
