[发明专利]超接面元件及其制造方法

摘要

本发明揭露一种超接面元件及其制造方法。超接面元件包含半导体基底、第一磊晶层、沟槽、第二磊晶层、氧化层以及栅极层。第一磊晶层设置于半导体基底之上。沟槽由图案化第一磊晶层形成。第二磊晶层位于沟槽的第一侧壁区域、第二侧壁区域以及底部区域。氧化层位于第二磊晶层上。栅极层位于沟槽内并由氧化层包覆。本发明的制造方法控制磊晶层成长及其外观，由此降低导通电阻、提升崩溃电压，使得大功率元件具备更高的稳定性、更低的制造成本。

主权项

一种超接面元件的制造方法，其特征在于，包含：形成第一磊晶层于半导体基底之上；图案化所述第一磊晶层以形成一沟槽，所述沟槽包含第一侧壁区域、第二侧壁区域以及底部区域，所述底部区域位于所述第一侧壁与所述第二侧壁之间的底部；形成第二磊晶层于所述沟槽的所述第一侧壁区域、所述第二侧壁区域以及所述底部区域；移除所述第一侧壁区域与所述第二侧壁区域的所述第二磊晶层的一部分；形成氧化层接触所述第二磊晶层；以及形成栅极层接触所述氧化层。