[发明专利]在边缘区域具有场电介质的半导体器件有效
| 申请号： | 201510244477.9 | 申请日： | 2015-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN105185821B | 公开（公告）日： | 2019-04-23 |
| 发明（设计）人： | S.加梅里特;F.希尔勒;W.彦切尔;W.M.斯耶德;J.韦耶斯 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技奥地利有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/739;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 王岳;胡莉莉 |
| 地址： | 奥地利*** | 国省代码： | 奥地利;AT |
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| 摘要： | 本发明涉及在边缘区域具有场电介质的半导体器件。一种半导体器件包括具有布置在有源区域中且不在有源区域与侧表面之间的边缘区域中的晶体管单元的半导体本体。场电介质邻接半导体本体的第一表面并且在边缘区域中将连接到晶体管单元的栅极电极的导电结构与半导体本体相分离。场电介质包括从第一垂直延伸部到第二更大的垂直延伸部的过渡部。该过渡部在半导体本体中的非可耗尽延伸区的垂直突出部中，其中非可耗尽延伸区具有晶体管单元的本体/阳极区的导电类型，并且电连接到本体/阳极区中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 边缘 区域 具有 电介质 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体本体，其包括布置在有源区域中且不在有源区域与所述半导体本体的侧表面之间的边缘区域中的晶体管单元；场电介质，其邻接所述半导体本体的第一表面并且在所述边缘区域中将连接到所述晶体管单元的栅极电极的导电结构与所述半导体本体相分离，所述场电介质包括从第一垂直延伸部到第二更大的垂直延伸部的过渡部；以及所述晶体管单元的本体/阳极区的导电类型的且电连接到所述本体/阳极区中的至少一个的非可耗尽延伸区，其中，所述过渡部在所述非可耗尽延伸区的垂直突出部中，其中所述非可耗尽延伸区围绕所述有源区域并且包括具有恒定第一净掺杂剂浓度的笔直的第一区段和第二区段，其中第二区段是靠近半导体本体的拐角的横向弯曲的区段和/或在有源区域与栅极区域之间的区段，其中第一区段连接第二区段并且第二区段的第二净掺杂剂浓度是第一净掺杂剂浓度的至少两倍高。
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