[发明专利]提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构

摘要

本发明涉及提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，EFT抗扰度电路的VSENSE信号突变检测模块与电压反馈信号VSENSE端、启动单元、OCP值控制模块、计时模块相连，Toff控制模块与或门、计时模块相连，OCP值控制模块与控制器、电流反馈检测模块相连；电压反馈检测模块与电压反馈信号VSENSE端、控制器相连；控制器与OCP值控制模块、或门相连；PWM驱动模块与功率MOS管相连；功率MOS管与高压启动模块、电流反馈端口ISENSE端、高压端口SW相连；电流反馈检测模块与OCP值控制模块、功率MOS管、电流反馈端口ISENSE端相连。有效提升EFT抗扰度，改善动态响应。

主权项

提升原边反馈电源系统EFT抗扰度的电路结构，其特征在于：包含电源地以及与其相连的电压反馈检测模块(103)、电流反馈检测模块(106)、控制器(104)、PWM驱动模块(105)、高压启动模块(102)、启动单元(107)、提升原边反馈电源系统EFT抗扰度电路、将理论计算的Toff时间和Toff控制模块输出的Toff时间逻辑或的或门(108)、功率MOS管(109)；所述提升原边反馈电源系统EFT抗扰度电路包括VSENSE信号突变检测模块(201)、Toff控制模块(203)、OCP值控制模块(204)和计时模块(202)，VSENSE信号突变检测模块(201)分别与电压反馈信号VSENSE端、启动单元(107)、OCP值控制模块(204)、计时模块(202)相连，Toff控制模块(203)分别与或门(108)、计时模块(202)相连，OCP值控制模块(204)分别与控制器(104)、电流反馈检测模块(106)相连；所述电压反馈检测模块(103)分别与电压反馈信号VSENSE端、控制器(104)相连；所述控制器(104)分别与OCP值控制模块(204)、或门(108)相连；所述或门(108)与PWM驱动模块(105)相连；所述PWM驱动模块(105)与功率MOS管(109)相连；所述功率MOS管(109)分别与高压启动模块(102)、电流反馈端口ISENSE端、高压端口SW相连；所述电流反馈检测模块(106)分别与OCP值控制模块(204)、功率MOS管(109)、电流反馈端口ISENSE端相连；所述高压启动模块(102)分别与高压端口SW、电源端口VDD端相连；所述电流反馈检测模块(106)在开关管导通时实时监测原边电流，电压反馈检测模块(103)在开关管关断时实时监测反馈的电压，控制器(104)根据电压反馈和电流反馈结果计算开关管的导通时间和关断时间，提升原边反馈电源系统EFT抗扰度电路根据电压反馈信号VSENSE，选择真正的开关管关断时间和开启时间；所述提升原边反馈电源系统EFT抗扰度电路中，VSENSE信号突变检测模块(201)在启动结束后开始逐周期检测VSENSE信号，一旦检测到VSENSE信号发生突然变化，则输出反馈电压信号VSENSE突变信号B或者反馈电压信号VSENSE突变信号A，反馈电压信号VSENSE突变信号B表示VSENSE信号突然变大，反馈电压信号VSENSE突变信号A表示VSENSE信号突然变小，进而控制Toff控制模块(203)和OCP值控制模块(204)的输出，并控制计时模块(202)工作，Toff控制模块(203)和OCP值控制模块(204)则根据VSENSE信号突变检测模块(201)的输出和计时模块(202)的输出选择性的输出开关管关断时间Toff和OCP值。