[发明专利]压电器件在审
| 申请号: | 201510242147.6 | 申请日: | 2012-11-27 |
| 公开(公告)号: | CN104926301A | 公开(公告)日: | 2015-09-23 |
| 发明(设计)人: | 池见慎一郎;土信田丰 | 申请(专利权)人: | 太阳诱电株式会社 |
| 主分类号: | C04B35/495 | 分类号: | C04B35/495;C04B35/622 |
| 代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳;朱弋 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供一种适合在高温环境下的使用的压电器件和压电陶瓷组合物。该压电器件具有将包含(LilNamK1-l-m)n(Nb1-oTao)O3表示的钙钛矿组合物和Ag成分的压电陶瓷组合物烧制而得到的压电陶瓷层;和夹着该压电陶瓷层的导体层,压电陶瓷层中,在钙钛矿组合物的烧结体中的空隙偏析有Ag,在由所述钙钛矿组合物的烧结体构成的结晶颗粒的晶界或者晶界三重点存在包含Si和K的结晶或者非晶质,其中,l~o满足下列的条件,即0.04<l≤0.1,0≤m≤1,0.95≤n≤1.05,0≤o≤1。 | ||
| 搜索关键词: | 压电 器件 | ||
【主权项】:
一种压电器件,其特征在于,包括:将包含下式(2)表示的含碱铌酸盐类钙钛矿组合物和Ag成分的压电陶瓷组合物烧制而得到的压电陶瓷层;和夹着该压电陶瓷层的导体层,所述压电陶瓷层中,Ag偏析在所述钙钛矿组合物的烧结体中的空隙中,所述压电陶瓷层,在由所述钙钛矿组合物的烧结体构成的结晶颗粒的晶界或者晶界三重点存在包含Si和K的结晶或者非晶质,(LilNamK1‑l‑m)n(Nb1‑oTao)O3…(2)式中,l~o满足下列的条件:0.04<l≤0.10≤m≤10.95≤n≤1.050≤o≤1。
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