[发明专利]相变化记忆体与其的制作方法有效
| 申请号： | 201510240803.9 | 申请日： | 2015-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN104851976B | 公开（公告）日： | 2017-08-04 |
| 发明（设计）人： | 陶义方 | 申请（专利权）人： | 江苏时代全芯存储科技有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;H01L27/24;H01L21/784 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 223001 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭露一种相变化记忆体与其的制作方法。相变化记忆体包含主动元件、下电极、上电极、相变化层、下加热器与上加热器。下电极电性连接主动元件。相变化层置于下电极与上电极之间。下加热器置于下电极与相变化层之间。下加热器沿第一方向延伸。上加热器置于上电极与相变化层之间。上加热器沿第二方向延伸。第一方向与第二方向交错。如此的结构能够增加电流的聚集密度，并提高加热相变化层的效率。 | ||
| 搜索关键词： | 相变 记忆体 与其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种相变化记忆体，其特征在于，包含：一主动元件；一下电极，电性连接该主动元件；一上电极；一相变化层，置于该下电极与该上电极之间；一下加热器，置于该下电极与该相变化层之间，该下加热器的俯视投影为长条状，其长边沿水平的一第一方向延伸；以及一上加热器，置于该上电极与该相变化层之间，该上加热器的俯视投影为长条状，其长边沿水平的一第二方向延伸；其中沿该第一方向延伸的该下加热器与沿该第二方向延伸的该上加热器交错以形成一夹角，其俯视投影形成一X形且具有一重叠面积，该重叠面积小于该下加热器及该上加热器与该相变化层的接触面积。
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