[发明专利]热处理装置和热处理方法有效
| 申请号: | 201510232817.6 | 申请日: | 2015-05-08 |
| 公开(公告)号: | CN105097612B | 公开(公告)日: | 2019-05-03 |
| 发明(设计)人: | 境宏之;上田直晃;岩坂英昭;川路辰也 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | 本发明提供能够对在升温的过程产生翘曲的基板均匀且迅速地进行加热的热处理装置和热处理方法。在热处理装置(1)中,被调节至加热温度的加热板(2)用于载置在升温的过程中产生翘曲且之后恢复到平坦的基板(W),支承构件(3)自基板(W)的下表面侧支承基板(W)并利用升降机构(31、32)在上方侧的交接位置与加热板(2)的下方侧的位置之间升降。控制部(4)进行控制,以便在使基板(W)自交接位置下降的期间内,在加热板(2)的上方侧,利用来自该加热板(2)的热量使基板(W)升温到产生翘曲的温度,接着,在经过基板(W)恢复到平坦的恢复时间之后,将该基板(W)载置于加热板(2)。 | ||
| 搜索关键词: | 热处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种热处理装置,其用于对基板进行加热,其特征在于,该热处理装置包括:加热板,其用于载置在升温的过程中产生翘曲且之后恢复到平坦的基板,并被调节至用于对该基板进行加热的加热温度;支承构件,其以能够相对于所述加热板突出或没入的方式设置,用于自基板的下表面侧支承基板;升降机构,其用于使所述支承构件在交接位置与上述加热板的下方侧的位置之间升降,该交接位置设于该加热板的上方侧,在该交接位置相对于所述支承构件进行基板的交接;以及控制部,其使所述升降机构工作而进行所述支承构件的位置控制,以便在使基板自所述交接位置下降的期间内,在所述加热板的上方侧,利用来自该加热板的热量使基板升温到产生翘曲的温度,接着,在经过基板恢复到平坦的恢复时间之后,将该基板载置于加热板。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





