[发明专利]基于聚合物熔体降解的纳米SiO2表面改性方法有效
| 申请号： | 201510232158.6 | 申请日： | 2015-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN104844824B | 公开（公告）日： | 2017-06-09 |
| 发明（设计）人： | 王波;冯跃战;陈阳;陈薇薇;孙瑞洲;刘春太 | 申请（专利权）人： | 郑州大学 |
| 主分类号： | C08K9/04 | 分类号： | C08K9/04;C08K3/36;C08L69/00;C09C1/28;C09C3/10 |
| 代理公司： | 成都希盛知识产权代理有限公司51226 | 代理人： | 刘文娟,柯海军 |
| 地址： | 450001 河南省郑*** | 国省代码： | 河南;41 |
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| 摘要： | 本发明属于无机纳米粒子表面改性领域范畴，具体涉及一种基于聚合物熔体降解的纳米SiO2聚合物表面改性方法。本发明提供一种基于聚合物熔体降解的纳米SiO2表面改性方法，其步骤包括a聚合物/纳米SiO2预混物的制备；b熔融共混聚合物/纳米SiO2预混物；c离心提取聚合物/纳米SiO2共混物中的功能化纳米SiO2；d功能化纳米SiO2的纯化处理。本发明提供一种新的SiO2纳米粒子的表面改性方法，即利用物理熔态共混过程中聚合物的降解，实现聚合物分子链化学接枝到纳米SiO2表面上，相比于传统聚合物接枝无机纳米粒子方法，该方法适于量化生产，且具有过程简单、成本低廉、接枝率高等特点，同时避免了传统化学改性过程中大量使用有机溶剂所带来的环境问题。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 聚合物 降解 纳米 sio sub 表面 改性 方法 | ||
【主权项】：
基于聚合物熔体降解的纳米SiO2表面改性方法，其特征在于，其步骤包括：a聚合物/纳米SiO2预混物的制备：将纳米SiO2和聚合物于溶剂中通过溶液共混，使聚合物完全溶解，然后加入沉淀剂析出沉淀，最后对沉淀物进行过滤、干燥处理即得聚合物/纳米SiO2预混物；其中，聚合物与纳米SiO2的质量比为：100︰10～20；b熔融共混聚合物/纳米SiO2预混物：将步骤a制得的预混物在聚合物熔点以上分解温度以下熔融共混5～30min得聚合物/纳米SiO2共混物；c离心提取聚合物表面改性的纳米SiO2：将步骤b得到的共混物溶解到溶剂中，通过高速离心得到功能化SiO2纳米粒子；其中，高速离心条件为：离心速率8000～11000rpm，离心时间10～30min；d功能化纳米SiO2的纯化处理：将步骤c所得的功能化SiO2纳米粒子分散到溶剂中，重复步骤c直至功能化纳米SiO2表面不存在自由聚合物分子链为止。
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