[发明专利]一种化学气相沉积法进行石墨烯化学键合镀层的方法

摘要

本发明公开了一种化学气相沉积法进行石墨烯化学键合镀层的方法，第一步，将氧化石墨烯于500-700℃下进行预热；第二步，随着乙烯和氩气的通入，将预热的氧化石墨烯一起鼓进高温反应腔；第三步，反应腔腔内温度约800-1000℃，乙烯经历π键断裂过程生成自由基·CH2-CH2·，随后在乙烯自由基的作用下，氧化石墨烯所带的含氧基团羟基和羧基被高温热还原生成芳烃自由基GP-CH·-CH2·或GP-CH2-CH2·，得到了带自由基的基片；第四步，游离自由基在高温下通过氩气辅助沉积结合到基片上；第五步，生成的副产物CO₂和H₂O随氩气排出,副产物高温气体的预热可进行氧化石墨烯的预热。本发明中石墨烯单体与石墨烯单体之间、石墨烯单体与基材之间均通过化学键键合的方式确保镀层具有足够的结合力。

主权项

一种化学气相沉积法进行石墨烯化学键合镀层的方法，其特征在于：第一步，将氧化石墨烯于500‑700℃下进行预热；第二步，随着乙烯和氩气的通入，将预热的氧化石墨烯一起鼓进高温反应腔；第三步，反应腔腔内温度在800‑1000℃，乙烯在此温度下，经π键断裂过程生成自由基·CH2‑CH2随后氧化石墨烯上所带的含氧基团羟基‑OH和羧基‑COOH被高温热还原生成GP‑CH·‑CH2·或GP‑CH2‑CH2·，硅片上也形成了硅自由基‑Si·得到带自由基的基片；第四步，游离的自由基在高温下通过氩气辅助沉积结合到基片上；第五步，生成的副产物CO₂和H₂O随氩气排出,副产物高温气体的预热可进行氧化石墨烯的预热。