[发明专利]半导体器件

摘要

本发明公开了一种实现了高耐压及低导通电阻的LDMOS的技术。场氧化膜DFOX从栅电极GE的下部延伸至漏极区域DRR。多个突出部PP从源极区域SOR侧朝向漏极区域DRR侧并从栅电极GE的侧面突出。而且，从平面上看，多个突出部PP沿着第2方向(与源极区域SOR及漏极区域DRR并排配置的第1方向垂直相交的方向)并排配置。多个开口OP形成于场氧化膜DFOX中。从第1方向看，各开口OP位于相互邻接的突出部PP之间。而且多个开口OP沿着第2方向与多个突出部PP交互并排配置。相对于漏极区域DRR来说，开口OP的漏极区域DRR侧的边缘部更靠近源极区域SOR侧。另一方面，相对于栅电极GE的上述侧面来说，开口OP的源极区域SOR的边缘部更靠近漏极区域DRR侧。

主权项

一种半导体器件，其特征在于，具有：衬底；半导体层，所述半导体层形成于所述衬底；第1导电型区域，所述第1导电型区域形成于所述半导体层；第2导电型区域，所述第2导电型区域形成于所述半导体层，且从平面上看，与所述第1导电型区域并排配置在第1方向上；栅电极，所述栅电极位于所述半导体层之上，从平面上看，在从所述第1导电型区域到所述第2导电型区域的范围内形成，且从平面上看，在与所述第1方向垂直相交的第2方向上延伸；源极区域，所述源极区域形成于所述第1导电型区域；漏极区域，所述漏极区域形成于所述第2导电型区域，且与所述栅电极隔开而形成；场绝缘膜，所述场绝缘膜形成于所述第2导电型区域的表层，且位于从所述栅电极的下部起至所述漏极区域的范围内；多个突出部，所述多个突出部从所述源极区域侧朝向所述漏极区域侧并从所述栅电极的侧面突出，且从平面上看，沿着所述第2方向并排配置；以及多个开口，所述多个开口形成于所述场绝缘膜中，且从所述第1方向来看，分别位于相互邻接的所述突出部之间，并沿着所述第2方向与所述多个突出部交替排列；其中，所述开口的所述漏极区域侧的边缘部或者与所述漏极区域相连，或者与所述漏极区域相比位于所述源极区域侧，而且，所述开口的所述源极区域侧的边缘部与所述栅电极的所述侧面相比位于所述漏极区域侧。