[发明专利]赛贝克系数测量结构、测量结构制备方法及测量方法有效
| 申请号： | 201510226906.X | 申请日： | 2015-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN104900557B | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 卢年端;李泠;刘明;高南;徐光伟;王伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L23/544;H01L51/05;H01L51/40 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种测量结构，包括绝缘衬底、栅电极、栅绝缘层、有机半导体材料的有源层，其中，多个温度传感器连接线分别连接至有源层的源漏区，多个温度控制线分别连接至与源漏区相连的多个温度传感器连接线的一部分。依照本发明的测量结构、制备方法和测量方法，在有机半导体层源漏两侧形成多个温度传感器连接线、以及分别连接至源漏两侧温度传感器连接线的温度控制线，通过四端接触法测量样品的温度和电压进而测算样品的赛贝克系数，以高效低成本方式提高了测量精度。 | ||
| 搜索关键词： | 贝克 系数 测量 结构 制备 方法 测量方法 | ||
【主权项】：
1.一种有机半导体材料的赛贝克系数的测量结构，包括绝缘衬底、栅电极、栅绝缘层、有机半导体材料的有源层，其中，至少4个温度传感器连接线分别连接至有源层的源漏区，多个温度控制线分别连接至与源漏区相连的该至少4个温度传感器连接线的一部分，所述至少4个温度传感器连接线的电导率大于所述栅电极、所述多个温度控制线的电导率，且所述栅电极、所述多个温度控制线的热导率大于所述至少4个温度传感器连接线的热导率。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所，未经中国科学院微电子研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201510226906.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：承载装置、反应腔室和半导体加工设备
- 下一篇：一种半导体封装测试装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
