[发明专利]一种多孔低介电聚酰亚胺薄膜在PI覆盖膜上的应用有效
| 申请号： | 201510226194.1 | 申请日： | 2015-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN104829859B | 公开（公告）日： | 2017-10-24 |
| 发明（设计）人： | 宋艳江;吕亮;刘顺祯 | 申请（专利权）人： | 无锡顺铉新材料有限公司 |
| 主分类号： | C08J9/26 | 分类号： | C08J9/26;C08J5/18;C08L79/08;C08K3/36;C08G73/10 |
| 代理公司： | 南京天华专利代理有限责任公司32218 | 代理人： | 夏平,杨秀丽 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明属于PI覆盖膜制造领域，提供一种多孔低介电聚酰亚胺薄膜在PI覆盖膜上的应用，薄膜由聚酰亚胺基体和增强填料两部分组成，其中，聚酰亚胺基体质量分数为80～100wt％，增强填料质量分数0％～20wt％，具有孔径尺寸≤2μm的微孔。通过试验测得，本发明提供的多孔低介电聚酰亚胺薄膜最低介电常数可以达到2.6，而拉伸强度仍保持较高的拉伸强度为160MPa。以该多孔低介电聚酰亚胺薄膜为基材制成的PI覆盖膜绝缘电阻为1.0×1011，300。C、10秒未出现气泡和分层现象，剥离强度为1.3～1.6Kfg/cm，说明本发明提供的薄膜具有优良的性状。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多孔 低介电 聚酰亚胺 薄膜 pi 覆盖 应用 | ||
【主权项】：
一种多孔低介电聚酰亚胺薄膜在PI覆盖膜上的应用；所述多孔低介电聚酰亚胺薄膜由聚酰亚胺基体和增强填料两部分组成，其中，聚酰亚胺基体质量分数为80～90wt％，增强填料质量分数10～20wt％；所述聚酰亚胺基体为芳香族二胺和芳香族二酐经缩聚反应制得；薄膜具有孔径尺寸≤2μm的微孔，孔隙率为2～20％。
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