[发明专利]电阻式随机存取存储器有效
| 申请号： | 201510226092.X | 申请日： | 2015-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN106206936B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 陈达;王炳琨;廖绍憬;林孟弘 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电阻式随机存取存储器。本发明的电阻式随机存储器包括第一电极、第二电极以及设置于第一电极与第二电极之间的可变电阻氧化物层。所述电阻式随机存取存储器还包括氧交换层、富氧层及第一氧阻障层。氧交换层设置于可变电阻氧化物层与第二电极之间。富氧层设置于氧交换层与第二电极之间。第一氧阻障层设置于氧交换层与富氧层之间。本发明可提升电阻式随机存取存储器的高温数据保持能力。 | ||
| 搜索关键词： | 电阻 随机存取存储器 | ||
【主权项】：
1.一种电阻式随机存取存储器，包括第一电极、第二电极以及设置于所述第一电极与所述第二电极之间的可变电阻氧化物层，其特征在于，所述电阻式随机存取存储器还包括：氧交换层，设置于所述可变电阻氧化物层与所述第二电极之间；富氧层，设置于所述氧交换层与所述第二电极之间；以及第一氧阻障层，设置于所述氧交换层与所述富氧层之间。
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