[发明专利]一种III族半导体发光器件的倒装结构

摘要

本申请公开了一种III族半导体发光器件的倒装结构，该倒装结构包括衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层、p型氮化物半导体层、透明导电层、第一绝缘层结构、P型接触金属、N型接触金属、第二绝缘层结构、倒装P型电极以及倒装N型电极，其中，自下而上依次设置的衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层构成线凸形台面。本发明的结构采用线凸形台面技术取代现有技术中的多个孔洞vias技术。本发明中当使用第一绝缘层结构为布拉格反射层‑金属层‑单层氧化物绝缘层或布拉格反射层‑金属层‑多层氧化物绝缘层来当反射镜结构以及绝缘层，取代倒装的反射镜结构设计以及第一绝缘层，还可以省略金属保护层。

主权项

一种III族半导体发光器件的倒装结构，其特征在于，该倒装结构包括：衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层、p型氮化物半导体层、透明导电层、第一绝缘层结构、P型接触金属、N型接触金属、第二绝缘层结构、倒装P型电极以及倒装N型电极，其中，自下而上依次设置的衬底、缓冲层、n型氮化物半导体层、有源层和p型氮化物半导体层构成线凸形台面，其中，所述线凸形台面包括：第一上表面、侧表面和第二上表面，所述第一上表面和第二上表面分别与所述侧表面形成L形结构，所述线凸形台面的第一上表面为p型氮化物半导体层的上表面，所述线凸形台面的第二上表面为所述n型氮化物半导体层的上表面；所述第一上表面的上方设有透明导电层；所述第一上表面、侧表面、第二上表面和透明导电层的表面设有第一绝缘层结构；所述P型接触金属的下端设置在所述第一绝缘层结构及透明导电层之间、或者位于所述透明导电层上；所述N型接触金属的下端设置在所述第一绝缘层结构及所述第二上表面之间、或者位于所述第二上表面上；所述第一绝缘层结构、P型接触金属与N型接触金属的上表面分别设有第二绝缘层结构；所述P型倒装电极的下端设置在所述P型接触金属及第二绝缘层结构的表面上；所述N型倒装电极的下端设置在所述N型接触金属及第二绝缘层结构的表面上；其中，所述倒装结构还包括隔离槽，该隔离槽设置于所述倒装结构的周围，所述隔离槽的表面设有所述第一绝缘层结构；所述第一绝缘层结构为布拉格反射层‑金属层‑单层氧化物绝缘层或布拉格反射层‑金属层‑多层氧化物绝缘层；其中，所述布拉格反射层的结构为二氧化硅与二氧化钛组成的、或二氧化硅与五氧化二钽组成的、或二氧化硅与五氧化二铌组成的，其中二氧化硅厚度为30‑1000nm，二氧化钛厚度为10‑200nm，五氧化二钽厚度为10‑200nm，五氧化二铌厚度为10‑200nm；其中，所述布拉格反射层，进一步为，3.5对的二氧化硅/二氧化钛/二氧化硅/二氧化钛/二氧化硅/二氧化钛/二氧化硅、或3.5对的二氧化硅/五氧化二钽/二氧化硅/五氧化二钽/二氧化硅/五氧化二钽/二氧化硅、或3.5对的二氧化硅/五氧化二铌/二氧化硅/五氧化二铌/二氧化硅/五氧化二铌/二氧化硅；所述金属层的下端设置在所述第一绝缘层结构的布拉格反射层的上表面上，和/或设置在所述第一绝缘层结构的单层氧化物绝缘层及多层氧化物绝缘层内。