[发明专利]溅射靶及其制备方法有效
| 申请号： | 201510220030.8 | 申请日： | 2015-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN106187100B | 公开（公告）日： | 2019-02-12 |
| 发明（设计）人： | 庄大明;赵明;曹明杰;郭力;詹世璐;李晓龙 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;C04B35/01;C04B35/50;C04B35/622 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084 北京市海淀区清*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种溅射靶，含有化合物In2CexZnO4+2x，其中x=0.5~2。本发明还涉及一种溅射靶，该溅射靶由In2O3、CeO2及ZnO混合后烧结形成，该In2O3、CeO2及ZnO的摩尔比为1:(0.5~2):1。本发明还涉及一种溅射靶的制备方法，包括将In2O3粉末、CeO2粉末及ZnO粉末均匀混合形成一混合体，该混合体中In:Ce:Zn的摩尔比为2:(0.5~2):1；以及将该混合体在1250°C~1650°C进行烧结。 | ||
| 搜索关键词： | 溅射 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种溅射靶，其特征在于，在1250℃～1650℃烧结形成该溅射靶，该溅射靶含有化合物In2CexZnO4+2x，其中x＝0.5～2，该化合物In2CexZnO4+2x为晶态，晶态In2CexZnO4+2x在该溅射靶中的含量为80％以上。
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