[发明专利]一种微观缺陷三维尺度逆向标定及检测方法

摘要

本发明公开了一种微观缺陷三维尺度逆向标定及检测方法。本发明具体步骤如下1、通过FDTD仿真软件建立仿真缺陷模型和仿真缺陷暗场散射模型；对缺陷进行电磁场仿真；外推获得仿真缺陷模型在光学成像系统像面上的理想光强分布；提取理想光强分布特征；在理想光强分布中加高斯型光学系统像差模型；构建多维特征参数向量并创建仿真模型样本库。2、元件缺陷暗场散射成像，显微成像系统采集缺陷图像；提取缺陷图像中垂直于待测缺陷长度方向的灰度分布；提取灰度分布中的灰度分布特征。3、建立相似度评价函数；搜寻仿真模型样本库中特征参数向量；判断相似度是否达到要求。本发明易于操作且具有较高的检测效率，能够达到纳米量级的纵向分辨率。

主权项

一种微观缺陷三维尺度逆向标定及检测方法，其特征在于包括如下步骤：步骤1、仿真模型样本库建立；所述的仿真模型样本库包括仿真缺陷模型、近场电磁场分布以及缺陷光强分布和光强分布的多维特征参数；步骤2、超光滑元件表面缺陷检测；步骤3、基于特征匹配的三维尺度逆向识别；步骤3所述的基于特征匹配的三维尺度逆向识别，具体如下：3‑1.建立相似度评价函数；3‑2.利用基本顺序搜索算法搜寻仿真模型样本库中特征参数向量；3‑3.判断相似度是否达到要求；实际中考虑到系统误差、光照影响、缺陷自身误差的因素，即使IPSF(p)和IDF(p)分别是参数完全相同缺陷的仿真和实验结果，设IDF(p)为缺陷垂直于长度方向实际灰度所对应的光强分布，IPSF(x)是加入光学成像系统弥散的光强分布，IPSF(p)和IDF(p)不可能完全一致，即r12不可能刚好等于1，因此设定一个小量ε，并作如下判断：|1‑r12|＜ε   公式(4)当r12满足公式(4)时，判断IPSF(p)和IDF(p)之间是相关的，则提取对应的仿真缺陷模型的三维尺度，并将其作为实际缺陷三维尺度；此时，认为电磁仿真建模时预设的缺陷参数与检测中实际缺陷的真实参数是接近的，将缺陷建模参数作为缺陷参数的检测参考值输出；ε取值为0‑0.2，具体的取值则需要计算机仿真和实验来确定；否则返回步骤3‑2。