[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201510216099.3 | 申请日： | 2015-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN106206714B | 公开（公告）日： | 2020-06-30 |
| 发明（设计）人： | 吕佳霖;陈俊隆;廖琨垣;张峰溢;陈界得;黄伟豪 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王华芹 |
| 地址： | 中国台湾*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件，其包含：基底、设于基底上的栅极结构、环绕栅极结构的层间介电层、设于层间介电层内的第一接触插塞、设于层间介电层上的第二介电层、设于第二介电层中并电连接第一接触插塞的第二接触插塞、以及设于第二接触插塞及第二介电层之间的侧壁子。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包含：基底；设于该基底上的栅极结构；环绕该栅极结构的层间介电层；设于该层间介电层内的第一接触插塞；设于该层间介电层上的第二介电层；设于该第二介电层中并电连接该第一接触插塞的第二接触插塞；以及设于该第二接触插塞及该第二介电层之间的侧壁子。
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