[发明专利]环形振荡电路和环形振荡器有效
| 申请号： | 201510215867.3 | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN106209083B | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 贾海珑 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H03L7/099 | 分类号： | H03L7/099 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 韩建伟;张永明 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种环形振荡电路和环形振荡器。其中，该环形振荡电路包括：用于输出偏置电流的参考电压产生电路、偏置电路和环形振荡结构，偏置电路包括：第一NMOS晶体管，漏极和栅极连接到参考电压产生电路的偏置电流输出端；第二NMOS晶体管，栅极和漏极均与第一NMOS晶体管的源极相连接，第二NMOS晶体管的源极接地；第三NMOS晶体管，栅极与第一NMOS晶体管的栅极相连接，漏极与第一PMOS晶体管的漏极相连接；以及电阻R，一端与第三NMOS晶体管的源极相连接，电阻R包括串联的具有正温度系数的第一电阻和具有负温度系数的第二电阻。通过本申请，解决了现有技术无法在降低温度系数对环形振荡器输出振荡频率的影响的同时减低功耗和面积的技术问题。 | ||
| 搜索关键词： | 环形 振荡 电路 振荡器 | ||
【主权项】：
1.一种环形振荡电路，其特征在于，包括用于输出偏置电流的参考电压产生电路、偏置电路和环形振荡结构，其中，所述偏置电路包括：第一NMOS晶体管(MN1)，漏极和栅极连接到所述参考电压产生电路的偏置电流输出端；第二NMOS晶体管(MN2)，栅极和漏极均与所述第一NMOS晶体管(MN1)的源极相连接，所述第二NMOS晶体管(MN2)的源极接地；第三NMOS晶体管(MN3)，栅极与所述第一NMOS晶体管(MN1)的栅极相连接，漏极与第一PMOS晶体管(MP1)的漏极相连接，其中，所述第一PMOS晶体管(MP1)的源极连接到电源，所述第一PMOS晶体管(MP1)的栅极与所述第一PMOS晶体管(MP1)的漏极相连接，并向所述环形振荡结构输出偏置电压VPB；以及电阻R，一端与所述第三NMOS晶体管(MN3)的源极相连接，另一端接地，所述电阻R包括串联的具有正温度系数的第一电阻(R+)和具有负温度系数的第二电阻(R‑)，用于补偿所述环形振荡结构的温度系数。
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