[发明专利]外延工艺中光刻标记的制作方法有效
| 申请号： | 201510213265.4 | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN104779241B | 公开（公告）日： | 2017-10-20 |
| 发明（设计）人： | 李伟峰 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种外延工艺中光刻标记的制作方法，步骤包括1)在衬底上形成阻挡层，通过光刻定义出光刻标记区域；2)在阻挡层上形成光刻标记，所述光刻标记的深度小于所述阻挡层的厚度，利用该光刻标记定义出沟槽的图形，并打开沟槽区域的阻挡层；3)在衬底上刻蚀出沟槽，第一次选择性外延生长及CMP；4)去除光刻标记区域以外的阻挡层；5)第二次外延生长及CMP；6)通过光刻和外延刻蚀，打开光刻标记区域。本发明利用衬底和外延生长层中间的一层阻挡层，保护光刻标记区域，并在外延生长之后通过刻蚀外延层打开光刻标记区域，从而保证了光刻标记的形态和后续光刻对准的精度。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 工艺 光刻 标记 制作方法 | ||
【主权项】：
外延工艺中光刻标记的制作方法，其特征在于，步骤包括：1)在衬底上形成阻挡层，通过光刻定义出光刻标记区域；2)利用刻蚀工艺在阻挡层上形成光刻标记，所述光刻标记的深度小于所述阻挡层的厚度，利用该光刻标记定义出沟槽的图形，并打开沟槽区域的阻挡层；3)在衬底上刻蚀形成沟槽，进行第一次选择性外延生长，在沟槽内填入外延，进行化学机械研磨；4)通过光刻、刻蚀工艺，保留光刻标记区域的阻挡层，去除其他区域的阻挡层；5)进行第二次外延生长及化学机械研磨；6)通过光刻和外延刻蚀，将光刻标记区域打开。
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