[发明专利]局部氧化工艺的优化方法在审
| 申请号： | 201510212963.2 | 申请日： | 2015-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN106206403A | 公开（公告）日： | 2016-12-07 |
| 发明（设计）人： | 马万里;闻正锋;任春红 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 陶敏;黄健 |
| 地址： | 100871 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供一种局部氧化工艺的优化方法。该方法包括：在衬底上生长垫氧化层，在所述垫氧化层上生长氮化硅层；对部分所述垫氧化层和所述氮化硅层进行光刻、刻蚀处理，以露出所述衬底，使露出的所述衬底的上表面对应形成L形空槽和U形空槽；沿着所述L形空槽和所述U形空槽分别刻蚀掉预设深度的所述衬底；对所述L形空槽和所述U形空槽露出的所有所述衬底进行氧化生成场氧化层。本发明实施例通过L形空槽和U形空槽之间的衬底被氧化的过程中，同时向L形空槽和U形空槽膨胀，减小了L形空槽中垂直方向的衬底和水平方向的衬底之间由于膨胀造成的夹角变化，避免出现较大的场氧化层凹坑，并防止多晶硅断裂。 | ||
| 搜索关键词： | 局部 氧化 工艺 优化 方法 | ||
【主权项】：
一种局部氧化工艺的优化方法，其特征在于，包括：在衬底上生长垫氧化层，在所述垫氧化层上生长氮化硅层；对部分所述垫氧化层和所述氮化硅层进行光刻、刻蚀处理，以露出所述衬底，使露出的所述衬底的上表面对应形成L形空槽和U形空槽；沿着所述L形空槽和所述U形空槽分别刻蚀掉预设深度的所述衬底；对所述L形空槽和所述U形空槽露出的所有所述衬底进行氧化生成场氧化层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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