[发明专利]光学元件表面碳污染的ArH清洗方法有效

专利信息
申请号: 201510212428.7 申请日: 2015-04-29
公开(公告)号: CN104865700B 公开(公告)日: 2017-07-14
发明(设计)人: 王依;卢启鹏;彭忠琦;龚学鹏 申请(专利权)人: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
主分类号: G02B27/00 分类号: G02B27/00
代理公司: 长春菁华专利商标代理事务所(普通合伙)22210 代理人: 刘慧宇
地址: 130033 吉*** 国省代码: 吉林;22
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摘要: 光学元件表面碳污染的ArH清洗方法,属于光学加工技术领域,该方法包括将光学元件样品放置到清洗腔内,利用真空泵使清洗腔达到真空度要求10‑5mbar以上;启动射频等离子体发射器,射频频率为13.56MHz,通入氩气,其供应流量为2sccm,使整个清洗腔内充满激发态氩粒子,通入氩气时避免直对光学元件样品表面,防止样品表面被氩等离子体轰击而造成光学元件表面损伤;启动氢原子发射器,设定加热温度至2300K,通入氢气,供应流量为1sccm,产生的氢原子与氩粒子结合为激发态配合物ArH;光学元件样品上的碳与ArH发生化学反应,产生挥发性碳氢化合物;真空泵将碳氢化合物以及恢复到基态的氩抽出,完成清洗。
搜索关键词: 光学 元件 表面 污染 arh 清洗 方法
【主权项】:
光学元件表面碳污染的ArH清洗方法,其特征是,包括如下步骤:第一步,将碳曝光污染的光学元件样品(5)放置到清洗腔(4)内,利用真空泵(3)使清洗腔(4)真空度达到10‑5mbar以上;第二步,启动射频等离子体发射器(2),射频频率为13.56MHz,通入氩气,其供应流量为2sccm,使整个清洗腔(4)内充满激发态氩粒子,通入氩气时避免直对光学元件样品表面,防止样品表面被氩等离子体轰击而造成光学元件表面损伤;第三步,启动氢原子发射器(1),设定加热温度至2300K,通入氢气,供应流量为1sccm,产生的氢原子与氩粒子结合为激发态配合物ArH;第四步,光学元件样品上的碳与ArH发生化学反应,产生挥发性碳氢化合物;第五步,真空泵(3)将碳氢化合物以及恢复到基态的氩抽出,完成清洗。
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